STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=900 V, 15 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiC MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 201-4467
- 制造商零件编号:
- STF16N90K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥1,920.15
(不含税)
¥2,169.75
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB38.403 | RMB1,920.15 |
| 250 + | RMB37.635 | RMB1,881.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 201-4467
- 制造商零件编号:
- STF16N90K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 900V | |
| 系列 | SiC MOSFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 330mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 16mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 15A | ||
最大漏源电压 Vd 900V | ||
系列 SiC MOSFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 330mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.6 mm | ||
长度 10.4mm | ||
高度 16mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 900 v 、 280 mo （典型值）、 15 a mdmesh K5 功率 mosfet 、采用 220FP 封装、基于创新的专有垂直结构。
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护