STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=15 A, 3针, TO-220, STF系列

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202-4782
制造商零件编号:
STF22N60DM6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

STF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

240mΩ

通道模式

耗尽

最大功耗 Pd

29W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20.6nC

最大栅源电压 Vgs

25V

最高工作温度

175°C

高度

16mm

宽度

4.6mm

标准/认证

No

长度

10.4mm

汽车标准

否

STMicroelectronics mmesh M6 功率 mosfet 采用 220FP 封装、可减少开关损耗。与上一代相比、它还具有更低的每区域 rds （接通）。

通过 100% 雪崩测试

提供齐纳保护

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