STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STF36N60M6, ST系列

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RS 库存编号:
202-5513
制造商零件编号:
STF36N60M6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

ST

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.085Ω

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

25 V

最大功耗 Pd

40W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

44.3nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

宽度

4.6 mm

高度

30.6mm

汽车标准

STMicroelectronics mdmesh ™ M6 技术融合了最新的技术改进,以支持 sj 系列著名的整合 mdmesh 。STMicroelectronics 的新 M6 技术构建于上一代 mdmesh 设备之上。

低栅极输入电阻

通过 100% 雪崩测试

提供齐纳保护