STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 62 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, STW70N60DM6-4, ST系列

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RS 库存编号:
202-5545
制造商零件编号:
STW70N60DM6-4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

ST

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.036Ω

通道模式

消耗

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

99nC

最大功耗 Pd

390W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

25 V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

长度

15.9mm

高度

41.2mm

标准/认证

No

宽度

5.1 mm

汽车标准

STMicroelectronics 是 mdmesh ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷( qrr )、恢复时间( trr )和每个区域 rds (接通)的极佳改进与市场上最有效的切换行为之一相结合。

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