STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=1200 V, Id=100 A, 7针, H2PAK, SCT系列
- RS 库存编号:
- 202-5486
- 制造商零件编号:
- SCTW100N65G2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 202-5486
- 制造商零件编号:
- SCTW100N65G2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 系列 | SCT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.105Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 162nC | |
| 正向电压 Vf | 2.8V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 最大功耗 Pd | 420W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 34.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 H2PAK | ||
系列 SCT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.105Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 162nC | ||
正向电压 Vf 2.8V | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
最大功耗 Pd 420W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
宽度 5.15mm | ||
长度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 34.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 硬质合金功率 mosfet 使用 st 的 Advanced 和创新的 2nd generation sic mosfet 技术开发而成。该设备的每个装置区域具有非常低的接通电阻和非常好的切换性能。
非常快速且坚固的固有主体二极管
低电容
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