STMicroelectronics N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 62 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, ST系列
- RS 库存编号:
- 202-5544
- 制造商零件编号:
- STW70N60DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥2,606.07
(不含税)
¥2,944.86
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月02日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB86.869 | RMB2,606.07 |
| 150 + | RMB85.131 | RMB2,553.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5544
- 制造商零件编号:
- STW70N60DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 62A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | ST | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.036Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 99nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 390W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 41.2mm | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 62A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 ST | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.036Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 99nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 390W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.9mm | ||
高度 41.2mm | ||
宽度 5.1 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 是 mdmesh ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ qrr ）、恢复时间（ trr ）和每个区域 rds （接通）的极佳改进与市场上最有效的切换行为之一相结合。
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护