STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=52 A, 3针, TO-247, ST系列

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RS 库存编号:
202-5552
制造商零件编号:
STWA67N60M6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

52A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

ST

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.045Ω

通道模式

耗尽

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

72.5nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

330W

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

25V

最高工作温度

150°C

高度

41.2mm

长度

15.9mm

宽度

5.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

STMicroelectronics mdmesh ™ M6 技术融合了最新的技术改进，以支持 sj 系列著名的整合 mdmesh 。STMicroelectronics 的新 M6 技术构建于上一代 mdmesh 设备之上。

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