Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=575 A, 8针, PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-7198
制造商零件编号:
SQJQ144AE-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

575A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQJQ144AE

包装类型

PowerPAK (8x8L)

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.9mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

600W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

145nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

8.2mm

标准/认证

AEC-Q101

宽度

1.7mm

高度

8mm

汽车标准

AEC-Q101

该款 Vishay 系列 v d - s 系列 175 °c mosfet 采用 1.6 mm 薄型封装。

极低热阻

trench场 效应第四代功率 mosfet

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