Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 48 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP052N60EF系列
- RS 库存编号:
- 204-7210
- 制造商零件编号:
- SIHP052N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 204-7210
- 制造商零件编号:
- SIHP052N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 48 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | SiHP052N60EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.052 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 48 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 SiHP052N60EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.052 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Vishay omm e 系列 power mosfet 的 fast 主体二极管采用 4th e 系列技术。它减少了切换和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容( co ( er )
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