Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=25.5 A, 4针, SO-8, SiJ128LDP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
204-7217
制造商零件编号:
SiJ128LDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

25.5A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

SiJ128LDP

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

15.6mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最大功耗 Pd

22.3W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.14mm

长度

5.25mm

高度

6.25mm

汽车标准

否

Vishay n 沟道 80 v （ d-s ） mosfet 具有超低 qg 和 qoss 电流、可减少功率损耗并提高效率。它具有非常低的 qg 和 qoss 、可减少功率损耗并提高效率。

trench场 效应第四代功率 mosfet

经过 100% rg 和 uis 测试

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