onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NTBG080N120SC1, NTB系列
- RS 库存编号:
- 205-2450
- 制造商零件编号:
- NTBG080N120SC1
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 205-2450
- 制造商零件编号:
- NTBG080N120SC1
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NTB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 3.9V | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.1mm | |
| 宽度 | 9.7 mm | |
| 高度 | 4.3mm | |
| 标准/认证 | This Device is Pb-Free and is RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NTB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 3.9V | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.1mm | ||
宽度 9.7 mm | ||
高度 4.3mm | ||
标准/认证 This Device is Pb-Free and is RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK-7L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK-7L
on ON Semiconductor （ sic ） n 沟道 mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
低接通电阻 80mohm 型
高接点温度
超低栅极电荷
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