Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=12 A, 8针, VSONP, NexFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
208-8482
制造商零件编号:
CSD18543Q3A
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

VSONP

系列

NexFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.1nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

66W

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.1mm

标准/认证

No

高度

900μm

长度

3.25mm

汽车标准

否

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