Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=8.4 A, 3针, TO-247, EF系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 25 件）*

RMB467.025

(不含税)

RMB527.75

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 250 个，准备发货

单位
每单位
Per Tube*
25 - 25RMB18.681RMB467.03
50 - 225RMB18.307RMB457.68
250 +RMB17.941RMB448.53

* 参考价格

RS 库存编号:
210-4987
制造商零件编号:
SiHG186N60EF-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

EF

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

168mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

156W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最高工作温度

150°C

高度

4.58mm

标准/认证

No

长度

33.91mm

宽度

15.29mm

汽车标准

否

Vishay omm 247AC 封装类型

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ co （ er ））

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

相关链接