Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SiHG186N60EF-GE3, EF系列

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RS 库存编号:
210-4988
制造商零件编号:
SiHG186N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

EF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

168mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最大功耗 Pd

156W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

33.91mm

高度

4.58mm

宽度

15.29 mm

汽车标准

Vishay omm 247AC 封装类型

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容( co ( er ))

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级( uis )

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。