Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 4针, PowerPAK 8 x 8, E系列

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RS 库存编号:
210-4989
制造商零件编号:
SIHH240N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PowerPAK 8 x 8

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

208mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

89W

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最高工作温度

150°C

长度

7.9mm

标准/认证

No

宽度

7.9mm

高度

0.9mm

汽车标准

否

Vishay e 系列功率 mosfet 具有 powerpak 8 x 8 封装类型、采用单配置。

4th e 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ co （ er ））

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级（ uis ）

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