Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=70 V, Id=67.4 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSS76LDN系列

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RS 库存编号:
210-5017
制造商零件编号:
SiSS76LDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

67.4A

最大漏源电压 Vd

70V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

SiSS76LDN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

57W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.3nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

高度

0.83mm

汽车标准

否

Vishay n 沟道 70 v （ d-s ） mosfet 采用 powerpak 1212-15v 8S 封装类型。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

极低 rds x qg 品质因数（ fom ）

调谐至最低 rds x qoss fom

经过 100% rg 和 uis 测试

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