Vishay N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=70 V, 42.3 A, PowerPAK, 表面安装, 8引脚, SISS176LDN-T1-UE3, SISS176LDN系列
- RS 库存编号:
- 653-099
- 制造商零件编号:
- SISS176LDN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥9,885.00
(不含税)
¥11,169.00
(含税)
有库存
- 另外 6,000 件在 2025年12月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB3.295 | RMB9,885.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 653-099
- 制造商零件编号:
- SISS176LDN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 系列 | SISS176LDN | |
| 包装类型 | PowerPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0125Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.30 mm | |
| 高度 | 0.41mm | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 42.3A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
系列 SISS176LDN | ||
包装类型 PowerPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0125Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.2nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.30 mm | ||
高度 0.41mm | ||
长度 3.30mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET Gen IV N 通道功率 MOSFET 的额定电压为 70 V 排放源电压和 42.3 A 连续排放电流。它具有紧凑型 PowerPAK 1212-8S 表面安装封装,使其特别适用于直流/直流转换器、同步整流、电动机控制和负载切换。
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准