Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SQJB46EP-T1_GE3, SQJB46EP_RC系列

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制造商零件编号:
SQJB46EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQJB46EP_RC

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

13.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

34W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

6.25 mm

长度

5mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay mosfet 采用 powerpak so-2100 8L mm 封装类型。

和中电路的 r-c 值 包括核心 / 过滤器配置

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。