Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-252, 600V CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 214-4387
制造商零件编号:: IPD60R360P7ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-252, 600V CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 214-4387
制造商零件编号:: IPD60R360P7ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	9A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	600V CoolMOS P7
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	360mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	900mV
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	13nC
	最大功耗 Pd	41W
	最高工作温度	150°C
	长度	6.65mm
	高度	2.35mm
	标准/认证	No
	宽度	6.42mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 9A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 600V CoolMOS P7
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 360mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 900mV
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC
	最大功耗 Pd 41W
	最高工作温度 150°C
	长度 6.65mm
	高度 2.35mm
	标准/认证 No
	宽度 6.42mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD60R360P7ATMA1

Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET, 600V 漏源电压，9A 连续漏极电流 - IPD60R360P7ATMA1

该 MOSFET 是一款高压 N 通道开关晶体管，专为表面安装功率转换和开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于苛刻环境，旨在处理高漏源电压，同时在电源和相关电路中提供受控的传导和开关行为。

特性和优点：

• 600V 最大漏源电压支持高压设计
• 9A 连续漏极电流支持大负载能力
• 360mΩ Rds(on) 可限制工作电流下的导通损耗
• 13nC 典型栅极电荷，可降低开关能耗和应力
• 20V 最大栅源可承受强大的驱动余量
• 41W 功耗支持显著的热负载

应用

• 适用于离线开关模式电源
• 适用于高压 DC-DC 转换器
• 与桥接和夹式开关拓扑结构配合使用
• 可用于工业电机驱动前端
• 适用于电信配电模块

我应该考虑哪些封装和安装因素？

它采用 TO-252 封装，适用于表面安装组件

如果需要板级散热，请确保采用适当的焊盘布局和热过孔。

热范围对部署有何影响？

该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，因此可在极端温度变化的环境中使用，且在该范围内无需因环境极端温度而进行降额。

在布局过程中，需要考虑哪些栅极驱动限制？

由于栅极电荷为 13nC，栅极引线应尽可能短以减小电感，同时在驱动和瞬态条件下遵守 ±20V 栅源绝对极限。

如何在设计中评估电流能力？

使用 9A 连续漏极电流额定值作为基准，并验证系统级热阻和冷却，以保持结温在指定限值范围内。