Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=100 V, Id=120 A, 3针, TO-220, OptiMOS 5系列

Name: Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=100 V, Id=120 A, 3针, TO-220, OptiMOS 5系列
Brand: Infineon
SKU: 110-7116
Availability: OutOfStock

暂时无法供应

我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	120A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	OptiMOS 5
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	2.3mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	168nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22)
	宽度	4.57mm
	长度	10.36mm
	高度	15.95mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 120A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 OptiMOS 5
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 2.3mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 168nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22)
	宽度 4.57mm
	长度 10.36mm
	高度 15.95mm
	汽车标准否

不适用

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

相关链接