Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-4475
- 制造商零件编号:
- SN7002NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-4475
- 制造商零件编号:
- SN7002NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 0.36W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 60 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 200mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最大功耗 Pd 0.36W | ||
最大栅源电压 Vgs 60 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
汽车标准 否 | ||
此 Infineon 信号极小。它特别适用于空间受限的汽车和 / 或非汽车应用。它们几乎可用于所有应用、例如电池保护、电池充电、 led 照明等。
它无卤、符合 IEC61249 - 2-21 标准