Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.7 A, 4针, SOT-223, SIPMOS系列

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RS 库存编号:
165-7514
制造商零件编号:
BSP373NH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

1.7A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-223

系列

SIPMOS

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

300mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.2nC

最大功耗 Pd

1.8W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.82V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

高度

1.6mm

长度

6.5mm

标准/认证

No

宽度

3.5mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon SIPMOS系列MOSFET，100V最大漏源电压，1.7A最大连续漏极电流 - BSP373NH6327XTSA1


这款MOSFET是一款紧凑的N沟道增强型晶体管，专为在严苛环境中进行表面贴装功率开关和控制而设计。它可在宽温度范围内工作，并能处理中等水平的连续电流和电压，非常适合需要坚固耐用、符合车规级标准的开关元件的电子系统。

特性和优点：


• 100V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 300mΩ导通电阻可降低额定电流下的导通损耗
• 1.7A连续漏极电流支持稳态负载
• 6.2nC典型栅极电荷，可实现高效开关控制
• 1.8W最大功耗，可有效管理使用过程中的热应力
• 20V的最大栅源电压，可实现灵活的栅极驱动电平

应用


• 适用于汽车电子模块的电源管理
• 适用于空间受限组件的DC/DC转换器
• 与电机驱动器配合使用，用于低功率执行器控制
• 可用于车载远程信息处理装置的负载切换
• 用于辅助车辆系统的电池管理

紧凑板级安装采用哪种封装？


它采用专为表面贴装设计的SOT-223封装以节省PCB空间，同时允许通过散热片进行热传递。

它在高温环境中的表现如何？


其规定工作温度范围为-55°C至150°C，可在高温环境或发动机舱条件下使用。

设计人员应预期怎样的引脚数量和安装方式？


该器件采用四个引脚，旨在直接表面贴装至PCB，以实现机械与电气连接。

此设备是否符合汽车级认证要求？


它符合汽车级AEC-Q101半导体器件标准，符合车辆电子可靠性规范。

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