Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS138NH6327XTSA2, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 178-7472
- 制造商零件编号:
- BSS138NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-7472
- 制造商零件编号:
- BSS138NH6327XTSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1nC | |
| 正向电压 Vf | 0.83V | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 230mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1nC | ||
正向电压 Vf 0.83V | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.9mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.3 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
N 沟道小信号 MOSFET 60 V，SOT23 封装
Infineon technologies 为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品采用众所周知的行业标准封装，满足并超越最高质量要求。这些元件具有无与伦比的可靠性和制造能力，是 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制等各种应用的理想之选。
功能摘要
• 增强模式
• 逻辑电平
• 雪崩级
• 快速切换
• Dv/dt 额定值
• 无铅镀层
• 符合 RoHS 标准，无卤
• 符合汽车标准
• 具备 PPAP 功能
优势
• 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
• 小型封装，节省印刷电路板空间
• 一流的质量和可靠性
潜在应用
• 汽车
• 照明
• 电池管理
• 负载开关
• 直流-直流
• 电动
• 电机控制
• 板载充电器
• 电信