Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=147 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 214-8971
制造商零件编号:: BSC015NE2LS5IATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=147 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 214-8971
制造商零件编号:: BSC015NE2LS5IATMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	147A
	最大漏源电压 Vd	25V
	系列	OptiMOS
	包装类型	TDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.5mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.65V
	最大栅源电压 Vgs	16V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	50W
	最高工作温度	150°C
	高度	1.1mm
	标准/认证	No
	长度	5.49mm
	宽度	6.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 147A
	最大漏源电压 Vd 25V
	系列 OptiMOS
	包装类型 TDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.5mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.65V
	最大栅源电压 Vgs 16V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 50W
	最高工作温度 150°C
	高度 1.1mm
	标准/认证 No
	长度 5.49mm
	宽度 6.35mm
	汽车标准否

Datasheet - BSC015NE2LS5IATMA1

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET,最大功耗 50W,最大漏极源电压 25V - BSC015NE2LS5IATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道增强装置,专为要求严苛的热环境中的表面贴装功率开关和负载控制而设计。它能在宽温度范围内运行,并专为大量连续漏电流和功率处理而设计,因此适用于需要低传导损耗和快速栅极驱动开关的应用。

特性和优点：

• 1.5mΩ Rds(on),可在高电流下减少传导损耗
• 147A 连续漏极电流支持大负载电流
• 50W 的功耗可实现持久的功率处理
• 22nC典型栅极电荷，可实现高效开关控制
• 0.65V 正向电压可最大限度减少负载下的电压下降
• 25V 漏源额定值适用于低电压电源导轨

应用

• 适用于高电流直流-直流转换器
• 适用于电源的同步整流
• 用于电力电子领域的电机驱动级
• 可用于电池保护和配电
• 适用于紧凑型SMD组件中的电源开关

它采用哪种封装和安装方式？

它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面贴装组装。

电路设计时应遵守哪些电压限制?

最大漏源电压为 25V,最大栅极电源电压为 16V。

它在极端温度条件下的表现如何？

它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有宽泛的热范围。

采用哪种通道类型和通道模式?

该设备为 N 通道增强型 MOSFET。

印刷电路板布局相关的物理封装有哪些限制?

该封装尺寸约为 5.49mm x 6.35mm,高度为 1.1mm。