Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=176 A, 8针, TSDSON, OptiMOS 5系列

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RS 库存编号:
214-8983
制造商零件编号:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

176A

最大漏源电压 Vd

25V

系列

OptiMOS 5

包装类型

TSDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.45mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最大功耗 Pd

69W

正向电压 Vf

600mV

最高工作温度

150°C

高度

1.2mm

标准/认证

No

长度

5.35mm

宽度

6.1mm

汽车标准

否

Infineon 系列提供了大量、全面的 mosfet 器件产品组合、包括 coolmos 、 timos 和 strong irfet 系列。凭借 Infineon 5 25V 和 30V 产品系列需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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