Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=46 A, 8针, TSDSON, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-2986
制造商零件编号:
BSZ099N06LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TSDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.9mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.9nC

最大功耗 Pd

36W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

长度

3.4mm

标准/认证

No

宽度

3.4mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 46A - BSZ099N06LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管,专为紧凑型表面贴装组件中的高电流 N 通道应用而设计,可在宽温度范围内工作,并为快速开关任务提供受控的栅极驱动行为。

特性和优点：


• 60V 漏电额定值支持中等电压切换能力
• 46 A 连续漏电流支持高电流输送
• 9.9mΩ RDS(on),可在额定电流下最大限度减少传导损耗
• 36W 最大耗散,可实现显著功率处理
• 6.9 nC 典型栅极电荷,可降低开关能量需求
• 20V 栅极容差可实现稳固的栅极驱动空间

应用


• 适用于紧凑型电源中的直流-直流转换器
• 适用于高电流同步整流级
• 用于电机驱动半桥开关元件
• 可用于工业电子设备的电源管理
• 适用于需要小尺寸的表面贴装组件

它采用哪种封装和安装方式？


它采用 TSDSON 封装,专为表面安装而设计。

工作范围内预期的热性能是多少?


它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可在宽温度环境中部署。

栅极电荷对开关性能有何影响?


典型栅极电荷为 6.9 nC,可减少驱动能量并支持更快的转换。

为确保安全运行,应遵守哪些栅极-源电压?


栅极-源电压不得超过 20 V,以避免损坏设备。

设备通道配置是什么?


该设备在增强模式下使用 N 型通道,用于标准 MOSFET 切换。

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