Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

RS 库存编号:: 214-9055
制造商零件编号:: IPD90N04S403ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

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RS 库存编号:: 214-9055
制造商零件编号:: IPD90N04S403ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	90A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	TO-252
	系列	OptiMOS-T2
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.2mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	94W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	6.5mm
	宽度	6.22mm
	标准/认证	No
	高度	2.3mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 90A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 TO-252
	系列 OptiMOS-T2
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.2mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 94W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 6.5mm
	宽度 6.22mm
	标准/认证 No
	高度 2.3mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S403ATMA1

Infineon OptiMOS-T2 系列 MOSFET,40V 最大漏源电压,90A 最大连续漏电流 - IPD90N04S403ATMA1

这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道增强装置,专为严苛环境中的电源开关和转换而设计。它可在宽温度范围内工作,并支持高连续漏电流,因此适用于汽车和工业环境中的热应力和电气应力条件。

特性和优点：

• 40V 最大漏源电压可实现稳健的低压功率级
• 90A 连续漏电流支持高电流输送
• 3.2mΩ 最大 Rds(on),可最大限度减少负载下的传导损耗
• 94W最大功耗，可处理大量热量
• 51nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 20V 最大栅极-源电压可保持栅极绝缘位置

应用

• 适用于车辆中的直流-直流转换器功率级
• 适用于汽车系统中的高电流负载开关
• 适用于需要紧凑型电源设备的表面贴装组件
• 可用于转换器中的同步整流
• 用于暴露于宽温度条件下的耐热功率级

它在运行过程中可承受的环境范围是多少?

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C,具有宽泛的耐热性。

板安装使用哪种封装类型?

它采用 TO-252 封装,适用于表面贴装应用。

该设备提供多少电气连接?

它具有三个引脚,用于标准排放、栅极和源连接。

通道极性和操作模式是什么?

该设备使用 N 型通道,并在增强模式下运行。

传导过程中可预期的正向电压是多少?

正向电压为 1.3V,用于传导特性。