Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=90 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
825-9398
制造商零件编号:
IPD90N03S4L02ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

110nC

最大功耗 Pd

136W

最高工作温度

175°C

宽度

6.22mm

标准/认证

No

长度

6.5mm

高度

2.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET


Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

AEC 合格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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