Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, VSON, 表面安装, 5引脚, CoolMOS C7系列

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RS 库存编号:
214-9069
制造商零件编号:
IPL60R104C7AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

VSON

系列

CoolMOS C7

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

104mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

122W

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

长度

8.1mm

宽度

8.1 mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon coolmos C7 是一项革命性技术、适用于高电压功率功率的高功率功率功率、设计符合超接线( sj )原理、并由 Infineon 技术开创。600V coolmos C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。它们适用于硬切换和软切换功能。由于封装更小、它随附了更高的功率密度解决方案。它包含优化的印刷电路板组件和布局解决方案。

适用于硬切换和软切换

smd 封装、寄生电感极低、便于设备使用 控制