Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=100 A, 5针, VSON, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 220-7432
制造商零件编号:: IPL60R105P7AUMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=100 A, 5针, VSON, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 220-7432
制造商零件编号:: IPL60R105P7AUMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET和二极管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	VSON
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	表面
	引脚数目	5
	最大漏源电阻 Rd	105mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.9V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	137W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	45nC
	最高工作温度	150°C
	长度	8.1mm
	高度	1.1mm
	标准/认证	No
	宽度	8.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET和二极管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 VSON
	系列 CoolMOS P7
	安装类型表面
	引脚数目 5
	最大漏源电阻 Rd 105mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.9V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 137W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC
	最高工作温度 150°C
	长度 8.1mm
	高度 1.1mm
	标准/认证 No
	宽度 8.1mm
	汽车标准否

Datasheet - IPL60R105P7AUMA1

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET 和二极管,650V 最大漏源电压,100A 最大连续漏电流 - IPL60R105P7AUMA1

这款 MOSFET 和二极管是一款高压电源开关设备,专为功率转换和开关环境中的表面贴装应用而设计。它将 N 通道增强模式晶体管与集成二极管相结合,可处理高排放源电压和大量连续电流,同时在宽温度范围内运行。

特性和优点：

• 650V漏源额定电压，支持高压开关应用
• 100A的连续漏极电流支持重载处理
• 105mΩ 最大 Rds(on) 可减少功率级中的传导损耗
• 137W 最大功耗，可实现更高的热负载
• 45nC 典型栅极电荷(Vgs 20V 时)平衡驱动要求
• VSON 5 针封装支持紧凑型表面贴装集成

应用

• 适用于高压转换器中的SMPS初级侧切换
• 适用于需要高压 MOSFET 二极管的离线电源
• 用于高功率转换器设计中的同步整流
• 可用于工业电机驱动前端阶段
• 适用于处理大连续电流的直流-直流转换器

为确保安全运行,允许的栅极驱动电压范围是多少?

该设备可接受高达 20V 的栅极源电压,同时作为增强模式 N 通道设备运行。

它在运行期间能承受怎样的极端温度？

它专为在 -40°C 至 150°C 的温度范围内连续运行而设计。

封装对安装和布局有何影响?

VSON 5 针表面贴装封装可实现薄型安装和简单的 PCB 焊接,适用于紧凑型组件。

设计人员在栅极驱动器中必须考虑的典型开关充电成本是多少?

预期在额定栅极电压下,典型总栅极电荷约为 45nC,从而为驱动器电流和开关损耗计算提供信息。