Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 18 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 214-9118
- 制造商零件编号:
- IPW65R125C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB22.701 | RMB681.03 |
| 60 - 90 | RMB21.961 | RMB658.83 |
| 120 + | RMB21.22 | RMB636.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9118
- 制造商零件编号:
- IPW65R125C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 101W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 宽度 | 5.21 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 101W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
高度 21.1mm | ||
宽度 5.21 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos C7 是一项革命性技术、适用于高电压功率功率的高功率功率功率、设计符合超接线（ sj ）原理、并由 Infineon 技术开创。coolmos C7 系列结合了领先 sj mosfet 供应商的经验和高级创新。该产品组合提供快速切换超级结点式高电阻器的所有优点、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
易于使用 / 驱动
符合 dec 标准、适用于工业级应用 （ j － STD20 和 JESD22 ）