Infineon N型沟道 增强型 MOSFET & 二极管, Vds=650 V, 97 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS系列

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220-7453
制造商零件编号:
IPW60R090CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET & 二极管

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

97A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

CoolMOS

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

125W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

最高工作温度

150°C

长度

16.13mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 600V cool mos CFD7 是英飞凌公司最新的高压超级结 mosfet 技术,集成了快速主体二极管,从而完善了 cool mos 7 系列。cool mos CFD7 具有更低的栅极电荷 (qg) 、更好的关闭行为和比竞争产品低 69% 的反向恢复电荷 (qrr) 以及市场上最低的反向恢复时间 (trr) 。

超快主体二极管

同类杰出的反向恢复充电( qrr )

改进了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 坚固性

最低 fom rds (接通) x qg 和 eoss

同类杰出的 rds (接通) / 封装

同类杰出的硬换向坚固性

用于谐振拓扑的最高可靠性

效率最高、卓越的易用性 / 性能权衡

实现更高的功率密度解决方案