Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=25 A, 3针, TO-252, OptiMOS-T2系列

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包装方式：
RS 库存编号:
215-2504
制造商零件编号:
IPD25N06S4L30ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

300mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.3nC

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

29W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

the Infineon ® T2 功率晶体管的最大漏极源电压为 60V 、 n 通道、汽车 mosfet 、采用 dak （ to-252 ）封装类型。

N 通道 - 增强模式

符合 aec Q101 标准

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色产品（符合 RoHS 标准）

100% 雪崩测试

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