Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=30 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-4374
制造商零件编号:
IPD30N06S2L13ATMA4
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

OptiMOS

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

13mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

136W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

6.65mm

标准/认证

No

宽度

6.42mm

高度

2.35mm

汽车标准

AEC-Q101

此 Infineon mosfet 具有高电流容量、开关和传导功率损耗最低的优点、可实现最高的热效率。它经过 100% 雪崩测试。

它无铅

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