Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=37 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 217-2559
- 制造商零件编号:
- IPP60R080P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 217-2559
- 制造商零件编号:
- IPP60R080P7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 37A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 129W | |
| 正向电压 Vf | 900mV | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 高度 | 29.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 37A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 129W | ||
正向电压 Vf 900mV | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 4.57mm | ||
高度 29.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET,600V 最大漏源电压,37A 最大连续漏电流 - IPP60R080P7XKSA1
这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关晶体管,专为需要通孔安装和增强通道操作的电源应用而设计。它适用于在宽工作温度范围内需要大量连续漏电流和高电压处理的电路。
特性和优点：
• 600V漏极容量，适用于高压开关应用
• 37A 连续漏电流支持高功率负载处理
• 80mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,提高效率
• 129W 最大功耗,可实现持久的功率处理
• 51nC 典型栅极电荷支持可预测的开关行为
• 20V 栅极额定值可承受强大的栅极驱动电压
• 37A 连续漏电流支持高功率负载处理
• 80mΩ Rds(on) 可减少传导损耗,提高效率
• 129W 最大功耗,可实现持久的功率处理
• 51nC 典型栅极电荷支持可预测的开关行为
• 20V 栅极额定值可承受强大的栅极驱动电压
应用
• 适用于高压电源和转换器
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 与工业控制系统中的通孔 PCB 配套使用
• 可用于开关模式电源转换设计
• 适用于需要宽温度耐久性的应用
• 适用于需要大电流的电机驱动级应用
• 与工业控制系统中的通孔 PCB 配套使用
• 可用于开关模式电源转换设计
• 适用于需要宽温度耐久性的应用
此设备可在哪些极端温度下工作?
额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C。
它采用什么封装和安装方式？
该设备采用 TO-220 封装,用于通孔安装。
设备通道类型和工作模式是什么?
它在增强模式下使用 N 型通道,用于传统高侧或低侧开关。
这款设备的正向电压是多少?它对电路有何影响?
正向电压为 0.9V,影响电路设计中的正向传导过程中的导电压降。
相关链接
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