Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 100 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 217-2594
- 制造商零件编号:
- IRF200P223
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 25 件）*
¥674.60
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB26.984 | RMB674.60 |
| 50 - 75 | RMB26.174 | RMB654.35 |
| 100 + | RMB25.651 | RMB641.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-2594
- 制造商零件编号:
- IRF200P223
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 55nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.31 mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 34.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.31 mm | ||
长度 15.87mm | ||
高度 34.9mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon strong 的 irfet ™功率 mosfet 系列经过优化，可实现低 rds （接通）和高电流容量。该设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可用于各种应用、包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流 - 直流转换器。。
改进的浇口、雪崩和动态 dv/dt 坚固性
完全定性电容和雪崩 soa
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
无铅 ; 符合 RoHS ; 无卤