Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 7针, TO-263, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 218-3028
- 制造商零件编号:
- IPB044N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- IPB044N15N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 174A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 174A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ® 5 n 沟道功率 mosfet 。the Infineon ® 5150 v 功率的高功率功率功率功率半导体器件特别适合用于叉车和电动滑板车等低压驱动器，以及电信和太阳能应用。
极佳的栅极电荷 x RDS(on) 产品 (FOM)
极低接通电阻 rds （接通）
极低的反向恢复电荷（ qrr ）
175 °c 工作温度
无铅引线电镀
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