Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 7针, TO-263, OptiMOS 5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
218-3029
制造商零件编号:
IPB044N15N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

174A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

4.4mΩ

通道模式

N

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

+175°C

标准/认证

No

汽车标准

否

the Infineon ® 5 n 沟道功率 mosfet 。the Infineon ® 5150 v 功率的高功率功率功率功率半导体器件特别适合用于叉车和电动滑板车等低压驱动器，以及电信和太阳能应用。

极佳的栅极电荷 x RDS(on) 产品 (FOM)

极低接通电阻 rds （接通）

极低的反向恢复电荷（ qrr ）

175 °c 工作温度

无铅引线电镀

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