Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=500 V, 7.6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50R500CEAUMA1, 500V CoolMOS CE系列

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RS 库存编号:
218-3049
制造商零件编号:
IPD50R500CEAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.6A

最大漏源电压 Vd

500V

系列

500V CoolMOS CE

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

500mΩ

通道模式

N

最大功耗 Pd

57W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.85V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.7nC

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

标准/认证

No

高度

2.41mm

宽度

6.22 mm

汽车标准

the Infineon 500V coolmos ™ ce 系列 n 沟道功率 mosfet 。coolmos ™是一项革命性技术,适用于高电压功率的高功率功率半导体,设计符合超结( sj )原理,并由 Infineon 技术公司率先推出。此系列提供快速切换 superjunction mosfet 的所有优势、同时不会降低使用便利性、并提供市场上提供的最佳性价比。

非常高的换向坚固性

易于使用 / 驱动

无铅电镀、无卤模制化合物