Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=20 V, 93 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR3711ZTRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 218-3109
- 制造商零件编号:
- IRFR3711ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥120.42
(不含税)
¥136.08
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年5月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 480 | RMB6.021 | RMB120.42 |
| 500 - 980 | RMB5.841 | RMB116.82 |
| 1000 + | RMB5.665 | RMB113.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-3109
- 制造商零件编号:
- IRFR3711ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 93A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 正向电压 Vf | 10V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 93A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
正向电压 Vf 10V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 6.22mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 2.39 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ex场 20V 单 n 沟道功率 mosfet 。此设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。
超低栅极阻抗
无导线