制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=93 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 218-3109
制造商零件编号:: IRFR3711ZTRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=93 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 218-3109
制造商零件编号:: IRFR3711ZTRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	93A
	最大漏源电压 Vd	20V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	7.8mΩ
	最大功耗 Pd	79W
	正向电压 Vf	10V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	27nC
	最高工作温度	175°C
	高度	6.22mm
	宽度	2.39mm
	标准/认证	No
	长度	6.73mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 93A
	最大漏源电压 Vd 20V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ
	最大功耗 Pd 79W
	正向电压 Vf 10V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC
	最高工作温度 175°C
	高度 6.22mm
	宽度 2.39mm
	标准/认证 No
	长度 6.73mm
	汽车标准否

Datasheet - IRFR3711ZTRPBF

the Infineon ex场 20V 单 n 沟道功率 mosfet 。此设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。

超低栅极阻抗

无导线

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