制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=75 V, Id=45 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

RS 库存编号:: 262-6768
制造商零件编号:: IRFR2607ZTRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=75 V, Id=45 A, 3针, TO-252, HEXFET系列

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50 - 95	RMB13.268	RMB66.34
100 - 245	RMB11.948	RMB59.74
250 - 995	RMB11.716	RMB58.58
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RS 库存编号:: 262-6768
制造商零件编号:: IRFR2607ZTRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	45A
	最大漏源电压 Vd	75V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	22mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	34nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最大功耗 Pd	110W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 45A
	最大漏源电压 Vd 75V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 22mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最大功耗 Pd 110W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRFR2607ZTRPBF

Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。此设计具有附加功能,如 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。

超低接通电阻

重复雪崩允许高达 Tjmax

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