STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL260N系列

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RS 库存编号:
219-4229
制造商零件编号:
STL260N4LF7
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

STL260N

包装类型

PowerFLAT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

最大功耗 Pd

188W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

长度

6mm

高度

1mm

标准/认证

No

宽度

5 mm

汽车标准

STMicroelectronics 功率 mosfet 利用 strippet F7 技术、采用增强的沟道栅极结构、可产生极低的通态电阻、同时还可减少内部电容和栅极电荷、以实现更快、更高效的切换。

在市场上最低的 rds (接通)中

出色的 fom (品质因数)

低 crs/ciss 比、可实现 emi 抗扰性

高耐雪崩性