Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=950 V, 6 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 219-6004
- 制造商零件编号:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 219-6004
- 制造商零件编号:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 950V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 120mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 7W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 950V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 120mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 7W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
高度 1.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 设计用于满足高电压 MOSFET 领域不断增长的消费需求，最新的 950V CoolMOS ™ P7 技术专注于低功率 SMPS 市场。与前代产品 900V CoolMOS ™ C3 相比， 950V CoolMOS ™ P7 系列提供 50V 的阻塞电压，在效率，热行为和易用性方面提供卓越的性能。与所有其他 P7 系列成员一样， 950V CoolMOS ™ P7 系列随附集成齐纳二极管 ESD 保护。集成二极管显著提高了 ESD 的稳定性，从而减少了与 ESD 相关的产量损失并达到卓越的的易用性级别。CoolMOS ™ P7 设计采用 3V 杰出 VGS (th) 和仅 ± 0.5V 的窄容差，易于驱动和设计。
3V 的杰出 VGS (th) 和 ±0.5V 的最小 VGS (th) 变化
集成齐纳二极管 ESD 保护，高达 2 类 (HBM)
杰出质量和可靠性