Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=60 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 220-7362
- 制造商零件编号:
- BSZ100N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 220-7362
- 制造商零件编号:
- BSZ100N06NSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET和二极管 | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大功耗 Pd | 36W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET和二极管 | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最大功耗 Pd 36W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.35mm | ||
高度 1.2mm | ||
宽度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 系列 MOSFET 和二极管,60V 最大漏极源电压,40A 最大连续漏极电流 - BSZ100N06NSATMA1
这款 MOSFET 和二极管组件是表面贴装 N 通道增强装置,适用于需要低传导损耗和集成二极管性能的电源开关应用。它可在宽温度范围内运行,适用于需要大量连续电流处理的设计,同时采用紧凑型 TSDSON 封装。
特性和优点：
• 60V 漏源额定值支持中等电压开关应用
• 1mΩ 最大 RDS(on),可最大限度减少负载下的传导损耗
• 40A 连续漏电流支持高电流功率级
• 12nC 典型栅极电荷,可实现可控的开关行为
• 36W 最大功耗可短暂保持热负载
• 20V 栅极-源极限为驱动电路提供空间
• 1mΩ 最大 RDS(on),可最大限度减少负载下的传导损耗
• 40A 连续漏电流支持高电流功率级
• 12nC 典型栅极电荷,可实现可控的开关行为
• 36W 最大功耗可短暂保持热负载
• 20V 栅极-源极限为驱动电路提供空间
应用
• 适用于电源转换器中的同步整流
• 适用于直流-直流转换器输出级开关
• 用于需要高电流的电机驱动半桥
• 可用于电池管理和负载切换
• 用于紧凑型系统中的负载点调节
• 适用于直流-直流转换器输出级开关
• 用于需要高电流的电机驱动半桥
• 可用于电池管理和负载切换
• 用于紧凑型系统中的负载点调节
它在运行时能够耐受的温度范围是多少？
其工作温度范围为-55°C至150°C。
组装时需要哪种安装方法?
它专为在 TSDSON 封装中进行表面安装而设计。
用于 PCB 布局的连接引脚数量有多少?
该设备使用八个引脚进行电气和机械连接。
它采用哪种通道传导模式?
它是一款增强型 N 通道设备。
相关链接
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