制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=106 A, 8针, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 273-5248
制造商零件编号:: BSZ0902NSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=106 A, 8针, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 273-5248
制造商零件编号:: BSZ0902NSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	106A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS
	包装类型	PG-TSDSON-8FL
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	26nC
	最大功耗 Pd	48W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 106A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS
	包装类型 PG-TSDSON-8FL
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC
	最大功耗 Pd 48W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	汽车标准否

Datasheet - BSZ0902NSATMA1

Infineon MOSFET 是 N 通道功率 MOSFET。此 MOSFET 具有出色的门充电。它符合 JEDEC 标准,适用于目标应用,且经过 100% 风暴测试。它经过优化,用于高性能降压转换器。

无卤素

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

非常低的接通电阻

卓越的耐热性

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