Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=16 A, 3针, SOT-223, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 220-7437
制造商零件编号:: IPN60R600P7SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET & 二极管, Vds=650 V, Id=16 A, 3针, SOT-223, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 220-7437
制造商零件编号:: IPN60R600P7SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET和二极管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	16A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	SOT-223
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	600mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	7W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	9nC
	最低工作温度	-40°C
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	+150°C
	长度	6.7mm
	标准/认证	No
	宽度	3.7mm
	高度	1.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET和二极管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 16A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 SOT-223
	系列 CoolMOS P7
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 600mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 7W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9nC
	最低工作温度 -40°C
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 +150°C
	长度 6.7mm
	标准/认证 No
	宽度 3.7mm
	高度 1.8mm
	汽车标准否

Datasheet - IPN60R600P7SATMA1

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET 和二极管,650V 最大漏源电压,16A 最大连续漏电流 - IPN60R600P7SATMA1

此 MOSFET 和二极管模块结合了高压 N 通道开关晶体管与集成二极管,适用于功率转换和开关应用。它专为表面贴装组装而设计,采用 SOT-223 封装,可在宽环境范围内运行,支持严苛的热环境,并为工业电源级和转换器提供连续电流。

特性和优点：

• 650V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 16A 连续漏极电流支持持续负载运行
• 600mΩ Rds(on)，可最大限度减少开关过程中的导电损耗
• 9nC 典型栅极电荷可降低驱动能量需求
• 7W 最大功耗可实现高热负载处理
• 0.9V 正向二极管电压降低了空转使用时的导电降压

应用

• 适用于高压离线电源
• 适用于需要表面贴装的开关模式电源转换器
• 用于混合拓扑设计中的同步整流
• 可用于工业电机驱动中级
• 适用于工作温度较高的直流-直流转换器

哪些栅极电压范围可安全驱动该设备?

该设备可在门和源之间接受高达 20V 的电压,适用于正常操作。

它在使用过程中能承受哪些极端温度?

额定工作温度范围为 -40°C 至 +150°C。

该封装为 PCB 布局提供多少个引脚？

该组件随附三个电气连接,适用于 SOT-223 封装。

这款晶体管的通道类型和导电模式是什么?

它采用 N 型通道,并以增强模式运行。

安装在电路板上需要哪种安装方式?

它专为在 SOT-223 封装中进行表面贴装安装而设计。