onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 169 A, TO-263-7, 表面安装, 7引脚, NTBGS2D5N06C, NTBGS2D系列
- RS 库存编号:
- 221-6702
- 制造商零件编号:
- NTBGS2D5N06C
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥136.64
(不含税)
¥154.405
(含税)
正在逐步停售
- 最终 755 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB27.328 | RMB136.64 |
| 200 - 395 | RMB27.056 | RMB135.28 |
| 400 + | RMB25.702 | RMB128.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6702
- 制造商零件编号:
- NTBGS2D5N06C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 169A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263-7 | |
| 系列 | NTBGS2D | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 45.4nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.7mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 169A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263-7 | ||
系列 NTBGS2D | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45.4nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.7 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.7mm | ||
长度 10.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 60V 功率 mosfet−169 a 的漏极电流、具有单 n μ a 通道。它具有更低的切换噪声 /emi 、有效减少传导损耗。
低 rds （接通）可有效减少传导
低电容、有效减少驱动器