onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 267 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, NTBGS1D5N06C, NTBGS1D系列
- RS 库存编号:
- 221-6700
- 制造商零件编号:
- NTBGS1D5N06C
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | RMB44.026 | RMB220.13 |
| 200 - 395 | RMB43.586 | RMB217.93 |
| 400 + | RMB41.404 | RMB207.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6700
- 制造商零件编号:
- NTBGS1D5N06C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 267A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | NTBGS1D | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 211W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 高度 | 15.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 267A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 NTBGS1D | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 211W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78.6nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.7 mm | ||
长度 10.2mm | ||
高度 15.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor 60V 267A mosfet 使用−的漏极电流和单 n μ a 通道。它具有更低的切换噪声 /emi 、有效减少传导损耗。
低 rds （接通）可有效减少传导
低电容、有效减少驱动器