Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=74 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列

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RS 库存编号:
222-4619
制造商零件编号:
BSC072N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

74A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS-TM5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

24nC

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

69W

最高工作温度

150°C

高度

1.2mm

长度

5.35mm

标准/认证

No

宽度

6.1mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOS-TM5 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,74A 最大连续漏电流 - BSC072N08NS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道半导体,专为严苛的热环境中的开关和功率转换而设计。它可在宽温度范围内工作,并可接受高达 20V 的栅极电压,因此适用于需要强大栅极驱动和大量连续排放电流的应用,同时作为紧凑型表面设备安装。

特性和优点：


• 80V 漏电额定值支持更高电压开关应用
• 74 A 连续电流支持大负载功率级
• 7.2 mΩ Rds(on),可减少运行过程中的导电损耗
• 69W 功耗,可实现持久热负载
• 24 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 8 针 TDSON 表面封装提供紧凑型 PCB 房地产节省

应用


• 适用于高电流电机驱动级
• 适用于直流-直流转换器输出级
• 与服务器机架中的配电模块配合使用
• 可用于电池管理和充电系统
• 用于电源的同步整流

它在运行过程中可承受哪些极端温度？


额定工作温度范围为-55°C至150°C。

开关控制允许的栅极驱动电压范围是多少?


栅极可驱动高达 20 V 以切换设备。

该封装如何支持自动化组装?


它采用 8 针 TDSON 封装,适用于表面安装。

栅极驱动器应考虑的典型开关电荷是多少?


设计人员在选择驱动器时应考虑典型总栅极电荷为 24 nC。

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