制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=74 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列

RS 库存编号:: 222-4620
制造商零件编号:: BSC072N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=74 A, 8针, TDSON, OptiMOS-TM5系列

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RS 库存编号:: 222-4620
制造商零件编号:: BSC072N08NS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	74A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS-TM5
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	7.2mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大功耗 Pd	69W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	150°C
	长度	5.35mm
	高度	1.2mm
	宽度	6.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 74A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS-TM5
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 7.2mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大功耗 Pd 69W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 150°C
	长度 5.35mm
	高度 1.2mm
	宽度 6.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - BSC072N08NS5ATMA1

Infineon mosfet 设计又闻名于“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。“场效应”代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。

无铅引线电镀; 符合 RoHS

经过 100% 雪崩测试、具有出色的热阻

无卤、符合 IEC61249 - 2-23

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